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BSR802N-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- BSR802N N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高功率密度和高效能电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，并能在低至18mR的导通电阻(RD(on))下，支持高达6A的连续漏极电流(ID)。这款MOS管适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等场景，凭借其出色的电流处理能力和高效能表现，成为优化系统性能的理想选择。
- 商品型号
- BSR802N-HXY
- 商品编号
- C22366726
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
ZXMP6A13F采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源