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FDN537N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- FDN537N 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代高功率密度电子设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可承载最大5.8A的漏极电流(ID)，并具备出色的导通性能，导通电阻低至22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各种高电流、高效能的电子系统，FDN537N 凭借其卓越的电流处理能力和优良能效，成为电路设计师们的可靠选择。
- 商品型号
- FDN537N-HXY
- 商品编号
- C22366719
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
DMP6350S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -2A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关-PWM应用