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SQ2309ES-T1_GE3-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- SQ2309ES-T1_GE3 是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适应高密度电路板布局。器件提供60V的漏源耐压(VDSS)，并能在低导通电阻160mR(RD(on))下稳定传输2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、负载开关、电源管理等领域，此款MOS管以其出色的电压承受能力和高效的电流控制性能，为您的电路设计带来更高的灵活性与可靠性。
- 商品型号
- SQ2309ES-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22366720
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |