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Si2338DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- Si2338DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，尤其适合于高密度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，具备强大的电流承载能力，可持续处理5.8A漏极电流(ID)，且在导通状态下具有极低的22mR导通电阻(RD(on))，有效提升了功率转换效率。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、以及其他高功率电子设备中，助力实现高效能、低损耗的系统方案。
- 商品型号
- Si2338DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366716
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |