温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG3404L-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N型场效应管具有5.8A的电流承载能力，最大承受电压为30V。其内阻典型值为22mΩ，VGS为20V。适用于需要高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、LED驱动等。该元器件的优异性能确保了系统的稳定运行，是高效能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- DMG3404L-HXY
- 商品编号
- C22366717
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
DMG3404L采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 5.8A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源