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FDV305N-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- FDV305N N沟道MOS管以紧凑型SOT-23封装呈现，专为高效能与小体积应用设计。具备20V的最大漏源电压(VDSS)，可在稳定状态下提供2.3A的漏极电流(ID)，并展现出优秀的导通性能，其导通电阻仅为48mΩ(RD(on))。此款MOS管凭借其优良的电气参数和可靠性，广泛应用于电源转换、电池管理系统以及各类低电压、小电流控制场景，实现精准高效的电路控制。
- 商品型号
- FDV305N-HXY
- 商品编号
- C22366712
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |