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MVGSF1N02L-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有2.3A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及48mR的典型内阻。其VGS为12V，适用于需要较高电流和电压的应用场景。该元器件具有优异的性能表现，可确保系统的稳定运行，适用于多种电子设备中，包括但不限于家用电器、便携式设备和各类控制系统。
- 商品型号
- MVGSF1N02L-HXY
- 商品编号
- C22366711
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |