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Si2302DS-HXY
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- Si2302DS 是一款高效N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高能效和低功耗电子应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)，其48mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下仍具有出色的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护系统等领域，是构建小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2302DS-HXY
- 商品编号
- C22366705
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
Si2302DS采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 20 V
- 漏极电流 = 2.3 A
- 栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻 < 60 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源