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AO3494-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- AO3494 是一款高效N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高能效和低功耗电子应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，其优秀的48mΩ导通电阻(RD(on))确保了在多种应用中都能实现低功耗和高电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池保护电路等领域，是小型化、节能电子设备的理想半导体元件。
- 商品型号
- AO3494-HXY
- 商品编号
- C22366707
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RRR030P03采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -4.2A
- RDS(ON) < 54mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON) < 77mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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