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SQ2310ES-T1_GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗电子设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，搭配其出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护系统等领域，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22366703
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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