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DMG3420U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有出色的性能参数：最大电流承载能力高达6A，耐压范围为20V，内阻典型值为22mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统稳定运行。低内阻意味着更高效的电流传递，助力提升整体电路性能。
- 商品型号
- DMG3420U-HXY
- 商品编号
- C22366698
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SM2314SRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源