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DMG6968U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其最大电流为6A，耐压高达20V，内阻典型值为22mΩ，确保了低功耗和高性能。VGS为12V，使得产品在各类精密设备中表现卓越。它的稳定性和可靠性满足各类应用需求，是提升系统效率的理想选择。
- 商品型号
- DMG6968U-HXY
- 商品编号
- C22366699
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
Si2374DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 3.0 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 35 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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