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SM2314SRL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- SM2314SRL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高功率密度和节能电子应用设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能承载6A的连续漏极电流(ID)，凭借其低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了在高电流工作状态下仍具有出色的能效和低功耗表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是打造紧凑、高效电子设备的理想半导体元件。
- 商品型号
- SM2314SRL-HXY
- 商品编号
- C22366702
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si2312BDS-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 3.0 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 35 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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