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DMN2041L-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有出色的电流承载能力，高达6A，同时支持20V的工作电压。其内阻典型值为22mΩ，确保了较低的功耗。VGS为12V，使得该器件在适当的栅源电压下能够发挥最佳性能。适用于多种高性能电子设备，为您的设计增添可靠与稳定的保障。
- 商品型号
- DMN2041L-HXY
- 商品编号
- C22366700
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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