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PMF170XP-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其具备1.8A的电流承载能力，能在20V的电压下稳定工作。内阻典型值为120mR，确保较低的能耗。VGS为8V，使得产品在特定栅源电压下导通性能更佳。该元器件因其出色的性能和稳定性，非常适合于电源管理等多种应用场景。
- 商品型号
- PMF170XP-HXY
- 商品编号
- C22366692
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
DMN2053UW采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET