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RZF013P01TL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- RZF013P01TL 是一款高可靠性P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-323封装，专为小型化及高效能电子设备设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，并可稳定传输1.8A的连续漏极电流(ID)，其120mΩ的导通电阻(RD(on))保障了在低功耗条件下的良好能效表现。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护系统等领域，是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- RZF013P01TL-HXY
- 商品编号
- C22366693
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
AUIRFR1018E采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.3 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源