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RRR030P03-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款P型场效应管拥有4.2A的电流承载能力，能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为45mΩ，VGS为12V。适用于电源管理、LED驱动及电机控制等应用，提供高效能转换和稳定的性能。它的低内阻和优化的VGS使其在电路中表现出色，确保系统的可靠运行。
- 商品型号
- RRR030P03-HXY
- 商品编号
- C22366695
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
SQ2310ES-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V ID = 6A
- RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源