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BSS209PW-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其具备1.8A的电流承载能力，能在20V电压下稳定工作。内阻典型值为120mR，确保了较低的功耗。VGS为8V，易于驱动。该产品适合用于电源管理、信号放大及开关电路等场景，提供卓越的性能和稳定性。
- 商品型号
- BSS209PW-HXY
- 商品编号
- C22366694
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
DMN2075U采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 3.0 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 35 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源