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MCH3376-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其参数表现为：电流达到1.8A，承受电压高达20V，内阻典型值为120mR。VGS为8V，确保稳定的工作性能。因其出色的电流承载能力和稳定的电压控制，该元器件在多个领域具有广泛应用，确保了系统的可靠性和高效性。
- 商品型号
- MCH3376-HXY
- 商品编号
- C22366691
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
MCH3376采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -1.8 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 150 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源