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DMN2075U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有3A的电流处理能力和20V的电压承受能力，内阻典型值为23mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保稳定的开关控制。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，如通信基础设施和便携式设备，提供卓越的性能和可靠性。
- 商品型号
- DMN2075U-HXY
- 商品编号
- C22366686
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BSS816NW采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55 mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源