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Si2312BDS-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A的漏极电流(ID)，并具备出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了良好的能源转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电池管理系统等场景，是构建小型化、节能型电子设备的优秀半导体组件。
- 商品型号
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366687
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
PMF63UNE采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET