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Si2374DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- Si2374DS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子设备设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载3A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效能和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等电路中，是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366689
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BSS214NW采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET