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BSS214NWH6327-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- BSS214NWH6327 是一款采用SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET，专为小型化和高能效电子设备设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，可持续提供2A的漏极电流(ID)，其特色在于49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效降低了功耗并提升了系统效能。广泛应用在诸如移动设备、电源转换、逻辑控制等对尺寸和效率有较高要求的场景中，是理想的MOS管组件选择。
- 商品型号
- BSS214NWH6327-HXY
- 商品编号
- C22366685
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AO3494采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源