嘉立创上市
购物车0
BSS214NWH6327-HXY实物图
  • BSS214NWH6327-HXY商品缩略图
  • BSS214NWH6327-HXY商品缩略图
  • BSS214NWH6327-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS214NWH6327-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2A

描述
BSS214NWH6327 是一款采用SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET,专为小型化和高能效电子设备设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS),可持续提供2A的漏极电流(ID),其特色在于49mΩ的低导通电阻(RD(on)),有效降低了功耗并提升了系统效能。广泛应用在诸如移动设备、电源转换、逻辑控制等对尺寸和效率有较高要求的场景中,是理想的MOS管组件选择。
商品型号
BSS214NWH6327-HXY
商品编号
C22366685
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.021333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

数据手册PDF