BSS214NWH6327-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
- 描述
- BSS214NWH6327 是一款采用SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET,专为小型化和高能效电子设备设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS),可持续提供2A的漏极电流(ID),其特色在于49mΩ的低导通电阻(RD(on)),有效降低了功耗并提升了系统效能。广泛应用在诸如移动设备、电源转换、逻辑控制等对尺寸和效率有较高要求的场景中,是理想的MOS管组件选择。
- 商品型号
- BSS214NWH6327-HXY
- 商品编号
- C22366685
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY
- FDV305N-HXY
- DMN3070SSN-HXY
- DMN3404L-HXY
- Si2338DS-T1-GE3-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY
- FDV305N-HXY
- DMN3070SSN-HXY
- DMN3404L-HXY
- Si2338DS-T1-GE3-HXY



