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BSS816NW-HXY
耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其最大电流为2A，耐压高达20V，内阻典型值为49mΩ，确保了低功耗和高性能。VGS为12V，使得控制更为精准。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，提升系统稳定性和效率。选择此款元器件，可确保您的设计兼具可靠性与创新性。
- 商品型号
- BSS816NW-HXY
- 商品编号
- C22366683
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
STD26P3LLH6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 23 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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