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MCH3479-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有2A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为49mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，如通信基础设施和精密仪器，提供卓越的性能和可靠性。
- 商品型号
- MCH3479-HXY
- 商品编号
- C22366679
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BSS209PW采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -1.8A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET