温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MCH3479-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
- 描述
- 这款N型场效应管具有2A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为49mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。该元器件设计精良，适用于多种高性能电子设备，如通信基础设施和精密仪器，提供卓越的性能和可靠性。
- 商品型号
- MCH3479-HXY
- 商品编号
- C22366679
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY