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PMF63UNE-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：电流2A，电压20V，内阻典型值49mΩ，栅源极电压VGS为12V。它以低内阻、高电流承载能力为特点，确保了系统的稳定运行。广泛应用于电源管理、信号放大等领域，提升能效与系统性能。选择此款元器件，可助力您的设计实现更高性能与可靠性。
- 商品型号
- PMF63UNE-HXY
- 商品编号
- C22366680
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |