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DMN2053UW-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能应用。其参数为：2A的电流承载能力，20V的漏极-源极击穿电压，49mΩ的典型内阻，以及12V的栅极-源极阈值电压。它能够确保在各种环境下稳定工作，提供可靠的性能表现，是电源管理和信号控制等应用的理想选择。
- 商品型号
- DMN2053UW-HXY
- 商品编号
- C22366681
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SM3401SRL采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.2A
- 栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源