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DMN2065UW-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：2A的额定电流，20V的漏极至源极电压，49mΩ的典型内阻，以及12V的栅极至源极电压。在各类精密设备中表现卓越，确保了信号传输的稳定性和系统的高效运行，是提升产品性能的理想选择。
- 商品型号
- DMN2065UW-HXY
- 商品编号
- C22366678
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SQD50N06-09L_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.3mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源