STD26P3LLH6-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:40A

描述

STD26P3LLH6 是一款高质量P沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为需要高效能和低功耗的应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载稳定的40A漏极电流(ID)，其亮点在于仅18mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了优秀的能源转换效率。此MOS管适用于电源管理、逆变器、电池保护电路等多个领域，是提升系统效能与节能效果的理想半导体组件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD26P3LLH6-HXY

商品编号

C22366677

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.376克(g)