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STD26P3LLH6-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- STD26P3LLH6 是一款高质量P沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为需要高效能和低功耗的应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载稳定的40A漏极电流(ID)，其亮点在于仅18mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了优秀的能源转换效率。此MOS管适用于电源管理、逆变器、电池保护电路等多个领域，是提升系统效能与节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- STD26P3LLH6-HXY
- 商品编号
- C22366677
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |