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FDD6670A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- FDD6670A 是一款N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，适用于各类大电流、高效率应用。该器件具有30V的漏源电压VDSS，可承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中稳定工作。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效减少功率损失，提升系统效能。是电源转换、电机驱动等高功率场景的理想选择，以卓越性能赋能现代电子设备的高效设计。
- 商品型号
- FDD6670A-HXY
- 商品编号
- C22366446
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
Si2323DS-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用-负载开关