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IRF7458PBF-HXY
耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- IRF7458PbF 是一款高效的N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，特别适合于空间受限的设计方案。该器件具备30V的最大漏源电压（VDSS），能承载高达18A的连续电流，表现出强大的驱动能力。其卓越之处在于仅5.5mR的超低导通电阻（RD(on)），有效降低功耗，大幅提升系统效率，是适用于电源转换、电机驱动等高要求应用场合的理想半导体器件。
- 商品型号
- IRF7458PBF-HXY
- 商品编号
- C22366465
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
SI4386DY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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