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IRF7458PBF-HXY
耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- IRF7458PbF 是一款高效的N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，特别适合于空间受限的设计方案。该器件具备30V的最大漏源电压（VDSS），能承载高达18A的连续电流，表现出强大的驱动能力。其卓越之处在于仅5.5mR的超低导通电阻（RD(on)），有效降低功耗，大幅提升系统效率，是适用于电源转换、电机驱动等高要求应用场合的理想半导体器件。
- 商品型号
- IRF7458PBF-HXY
- 商品编号
- C22366465
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |