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DMN3009SSS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有出色的电流承载能力，高达18A，同时具备30V的耐压特性。其内阻典型值为5mΩ，确保了在导通时具有较低的损耗。VGS为20V，适用于大多数控制电路。该产品广泛应用于各类电子系统，能够提升电源转换效率，确保电路的稳定运行。
- 商品型号
- DMN3009SSS-HXY
- 商品编号
- C22366469
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
SI4420DYPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源