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SSM3J14T-HXY
P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装，适合于紧凑型电路设计。该器件具备出色电气性能，最大工作电压VDSS高达30V，可持续处理4.1A电流，适用中大型电流应用场景。其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR，有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块，是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。
- 商品型号
- SSM3J14T-HXY
- 商品编号
- C22366482
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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