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RZR040P01-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款P型场效应管拥有7A的电流处理能力和20V的电压承受能力，内阻典型值为20mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了良好的控制性能。适合用于需要高电流、低内阻以及稳定控制的场合，如电源管理、负载开关等关键部位。
- 商品型号
- RZR040P01-HXY
- 商品编号
- C22366484
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ZXMN3B14F采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 34 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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