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FDS6680A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- FDS6680A 型号MOS管，采用精巧的SOP-8封装工艺，专为现代电子设备的紧凑布局设计。该N沟道MOS管具备卓越性能，在30V的最高工作电压下，可持续提供高达15A的大电流处理能力。其亮点在于极低的导通电阻7.5mR，有效提升能源效率，减少功耗损失，广泛适用于电源转换、高效电机驱动、大电流开关控制器等多种高要求应用场景。
- 商品型号
- FDS6680A-HXY
- 商品编号
- C22366507
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
IRF7809AVPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源