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FDS8880-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- FDS8880 型号N沟道MOS管，选用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。该器件能在30V的最大工作电压下，稳定传输高达15A的连续电流。其核心特点为超低的7.5mR导通电阻，显著提升了能源使用效率并减少了功率损耗，成为电源转换、电机驱动、大电流开关控制等领域的理想选择，助力您的设计实现高性能与节能兼具的效果。
- 商品型号
- FDS8880-HXY
- 商品编号
- C22366508
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
FDS8880采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V
- 漏极电流 = 15A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 9mΩ
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源