温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STN4102-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装形式，专为处理大电流应用而设计。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达20A的连续漏极电流，体现卓越的电力传输能力。其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域，是追求高性能、高效率的理想半导体器件。
- 商品型号
- STN4102-HXY
- 商品编号
- C22366527
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
SI4174DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源