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IRF9321PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF9321PbF 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载高达18A的连续漏极电流，彰显出卓越的电流处理能力。其独特优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在确保高功率运作的同时有效提高系统能效，降低损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，是追求高性能、低功耗的理想半导体器件。
- 商品型号
- IRF9321PBF-HXY
- 商品编号
- C22366536
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
NTD20N03L27采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源