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ZXMN6A07F-HXY
N沟道 60V 3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有出色的性能参数：最大承受电流高达3A，额定电压为60V，内阻典型值为72mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低导通电阻的应用场景，如电源管理、LED驱动及高性能电子设备中，确保系统的稳定运行和高效能输出。
- 商品型号
- ZXMN6A07F-HXY
- 商品编号
- C22366549
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
IRF7424PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 12A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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