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Si4178DY-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力，30V的工作电压，以及14mΩ的典型内阻。其VGS为20V，适用于多种应用场景。该元器件具备出色的性能和稳定性，能在高电流环境下保持高效运作，适用于对电子系统有较高要求的领域，确保系统的可靠性和稳定性。
- 商品型号
- Si4178DY-HXY
- 商品编号
- C22366578
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
Si4178DY 采用了先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻 RDS(ON)、较低的栅极电荷，并且能够在低至 4.5V 的栅极电压下正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏极 - 栅极电压 VDS = 30 伏，漏极电流 ID= 8.5 安培
- 当栅极 - 漏极电压 VGS = 10 伏时，导通电阻 RDS(ON) 小于 18 微欧姆
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源