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DMN2020LSN-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：最大电流5A，耐压20V，内阻典型值14mΩ，栅源极电压VGS为12V。具备出色的导通性能和极低的功耗，适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，确保系统稳定运行。选择此款元器件，可提升系统效率与可靠性。
- 商品型号
- DMN2020LSN-HXY
- 商品编号
- C22366558
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品概述
NTMS4177P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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