温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4346DY-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI4346DY-T1-E3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载8.5A连续电流，且导通电阻仅为14mΩ，确保在大电流条件下仍保持出色的能效与低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以其卓越的电流处理能力和稳定的电气性能，成为您电路设计的优质选择。
- 商品型号
- SI4346DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366575
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
相似推荐
其他推荐