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SI4936CDY-T1-GE3-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- SI4936CDY-T1-GE3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，专为现代电子设备提供强大电流处理能力。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)低至25mΩ，有效减少系统功耗，提高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。
- 商品型号
- SI4936CDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366593
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
DMN3024LSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源