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AO4800B-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4800B 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为高电流应用场合设计。器件特色在于最大工作电压VDSS高达30V，可承载8.5A连续漏极电流，提供强大的电流处理能力；其低至17mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，大幅提升能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您实现高效、节能电子设计的理想MOS管器件。
- 商品型号
- AO4800B-HXY
- 商品编号
- C22366598
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |