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AO4800B-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4800B 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为高电流应用场合设计。器件特色在于最大工作电压VDSS高达30V，可承载8.5A连续漏极电流，提供强大的电流处理能力；其低至17mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，大幅提升能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您实现高效、节能电子设计的理想MOS管器件。
- 商品型号
- AO4800B-HXY
- 商品编号
- C22366598
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZXMN3A06DN8采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源