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STD30NF06LT4-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- STD30NF06LT4 型号N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，以其紧凑尺寸和良好散热性能深受市场青睐。器件标称电压VDSS高达60V，峰值电流ID可达30A，凸显出强大的电流处理能力。导通电阻仅为22mR，有效保障了在高功率应用中的能源效率与系统性能。此款MOS管适用于电源转换、负载开关、电机驱动等多元场景，出厂前完成严谨质量检测，确保其能在各种严苛条件下稳定工作，发挥出色性能。
- 商品型号
- STD30NF06LT4-HXY
- 商品编号
- C22366613
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361809克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
IRFR1205PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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