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NTD6416ANLT4G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- NTD6416ANLT4G 型号N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备优良的散热性能与紧凑尺寸，适应多样化电路设计需求。该器件提供100V的额定电压VDSS，支持高达20A的连续电流ID，尤其适用于高电压、大电流的应用场景。尽管导通电阻为80mR，但仍能保持较好的能效比，降低系统损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，出厂前经过严格质量检测，确保产品具备稳定可靠的高性能表现。
- 商品型号
- NTD6416ANLT4G-HXY
- 商品编号
- C22366631
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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