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NTD6416ANLT4G-HXY

1个N沟道耐压:100V 电流:20A

描述: NTD6416ANLT4G 型号N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备优良的散热性能与紧凑尺寸，适应多样化电路设计需求。该器件提供100V的额定电压VDSS，支持高达20A的连续电流ID，尤其适用于高电压、大电流的应用场景。尽管导通电阻为80mR，但仍能保持较好的能效比，降低系统损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，出厂前经过严格质量检测，确保产品具备稳定可靠的高性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD6416ANLT4G-HXY
商品编号: C22366631
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

NTD6416ANLT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。