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AON6382-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- AON6382 N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化设计需求打造。该器件支持最大30V的漏源电压，能够承受高达150A的连续漏极电流，表现出卓越的电流处理能力。其突出特点是导通电阻仅2mΩ，有效降低功率损耗，提升系统能效，广泛适用于电源转换、电机驱动、开关电源等高功率应用场合，是实现高性能电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- AON6382-HXY
- 商品编号
- C22366645
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
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