Si2347DS-T1-GE3-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:6A

描述

Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用经济实用的SOT-23封装，适用于各类精密电子设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定输出6A的漏极电流(ID)，并以28mΩ的低导通电阻(RD(on))实现高效能与低功耗。广泛应用于电源切换、负载驱动、电池保护等领域，是您优化电路设计，提升系统性能的理想半导体器件选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

Si2347DS-T1-GE3-HXY

商品编号

C22366663

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.026克(g)