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Si2347DS-T1-GE3-HXY

1个P沟道耐压:30V 电流:6A

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描述: Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用经济实用的SOT-23封装，适用于各类精密电子设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定输出6A的漏极电流(ID)，并以28mΩ的低导通电阻(RD(on))实现高效能与低功耗。广泛应用于电源切换、负载驱动、电池保护等领域，是您优化电路设计，提升系统性能的理想半导体器件选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: Si2347DS-T1-GE3-HXY
商品编号: C22366663
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.026克(g)

商品参数

IRFR7546PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。