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IRLR3636PBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET，采用行业标准的TO-252-2L封装，旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS)，可承载持续的漏极电流达80A(ID)，且在导通状态下展现卓越的低电阻特性，仅6.5mΩ(RD(on))，有效降低了功率损耗，提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围，IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域，是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。
- 商品型号
- IRLR3636PBF-HXY
- 商品编号
- C22366671
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI7192DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 150 A
- 导通电阻RDS(ON) < 2.4 mΩ，栅源电压VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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