NTD5C668NL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和60V的电压耐受性,内阻典型值为6.5mΩ,适用于高要求电路。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。该元器件适合用于高性能电子设备,能够确保稳定运行,提升系统整体可靠性。选择它,让您的设备性能更上一层楼。
- 商品型号
- NTD5C668NL-HXY
- 商品编号
- C22366675
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372493克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY
- Si2374DS-T1-GE3-HXY
- SM3401SRL-HXY
- PMF170XP-HXY
- RZF013P01TL-HXY
- BSS209PW-HXY
- AO3403-HXY
- PMV30UN2R-HXY
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- IRLML2502PBF-HXY
- Si2302DS-HXY
- IRLML2402GPBF-HXY
- IRLML2402PBF-HXY
- MMBF0201NL-HXY
- MVGSF1N02L-HXY



